第118章宅男的春節最新章節，第1頁_穿越就被抓，我拯救華夏芯片免費全文閱讀

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從來到這個世界那天起，這個世界發生的一切對路陽來說，更像是場遊戲，隻有為數不多的幾個人能帶來真實感。

于是路陽拒絕了所有人的邀請，一個人留在公寓過春節，幾包泡面加蛋，自熱鍋加臘腸，燒烤配啤酒，好些年都是如此過的。

打開小破站，粉絲已經來到150萬，視頻更新還不到10條，既有小破站的流量照顧，也有路陽内容的垂直，産業鍊中EDA與IP已經發完，開始做制造材料相關視頻。

制造材料中技術難度最大，一直被島國與泡菜國壟斷的就是光刻膠、光掩膜與CMP，如今CMP已被蘇矽攻克，華大九天建了新廠正在極力攻克光掩膜、光刻膠以及存底外延。

華國作為世界公認的世界第一化工大國，這并非是自封，而是NATURE上的論文發表數量決定的，但為什麼光刻膠還被島國與韓國壟斷呢？

EDA作為半導體行業的設計軟件，全球市場規模僅有百億級别，但卻是入場券，正因為市場不大，研發與産出嚴重失衡，都秉承着造不如買的心态，直到技術封鎖的迹象誕生，才真正開始重視起來。

光刻膠的情況與EDA類似，研産比例失調，突破一項别人傾銷一項，企業幾乎無法生存。

按應用領域分類，光刻膠可以分為三類，PCB印刷電路闆光刻膠、LCD顯示面闆光刻膠、半導體光刻膠，前兩者主要用于微細圖形加工，不過多贅述，這期的視頻内容，路陽打算以光刻膠為主。

半導體光刻膠根據應用，再分為四類，對應不同制程。

g線對應436納米，用于6寸晶圓雕刻；

i線對應365納米，用于68寸晶圓雕刻；

krf線對應248納米，用于8寸晶圓雕刻；

Arf線對應193納米，對應12寸晶圓雕刻；

EUV線對應13.5納米，對應12寸晶圓雕刻；

從技術門檻來看，顯然是從g線開始依次遞增的，做到這裡，路陽都想直接打電話給華大九天劉永銳，現在他們做到什麼程度了，拿起電話才想起今天是大年三十便放下電話。

看着電腦查出的資料，“草，大意了啊！”

原來直到2019年，華國也僅僅完成了PCB印刷電路闆的全面國産化，LCD都還在驗證期，至于半導體光刻膠，估計現在用的全是囤貨，華國今年的半導體光刻膠依賴程度高達90%以上。

光刻膠又分為正性與負性光刻膠，主要起到蒙版的作用，先在晶圓上均勻的塗抹一層光刻膠，然後光源通過掩膜版圖像打到光刻膠上，被光照到的部分随之融化，這種就是正性光刻膠，而未被融化的部分就跟掩膜版中的圖像一樣，用顯影液把融化的光刻膠洗幹淨，接着上刻蝕機，把未被融化部分刻蝕掉，這就是光刻的基本原理。

如果光源照射後，不但沒融化反而變得更加堅挺，這就是負性光刻膠，正性做高分辨率圖像，負性做低分辨率圖像，顯然市場上大部分使用的都是正性光刻膠。

光刻膠最核心的技術就是配方，跟CMP的抛光液一樣，是各廠家最值錢的東西。

光刻膠主要成分有感光劑、樹脂、溶劑以及其他的輔助劑，其中最核心的便是感光劑，用于吸收不同波長的光，發生不同的化學反應。

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